教學進度
| 課程名稱 | 半導體製程規劃 |
| 部別學制系科 | 在職專班，二技，工業工程與管理系 |
| 學分時數 | 選修，學分 3.0，時數 3.0 |
| 分類 | 分類代號 L，分類名稱：專業選修 |
| 代號與教師 | 開課代號：SIE3103B123，任課教師：陳烈 |
| 相關網址 | |
| 評分準則 | 平時成績 30%，期中考評 30%，期末考評 % (僅做參考) |
| 系統備註 | 「授課進度」... 等，教師已確認 |
| 週次 起訖日 |
校務摘要 | 課程進度 |
| 一 1030914 1030920 |
15日 開學，上午註冊第三節正式上課 | 宣導尊重智慧財產權，不使用影印本教科書。 課程目的、進度、評分方式 |
| 二 1030921 1030927 |
25日 期初教務會議 28日 教師節 |
半導體製程簡介 |
| 三 1030928 1031004 |
無塵室基礎架構 | |
| 四 1031005 1031011 |
第一次月考週 10日國慶日 |
半導體元件 |
| 五 1031012 1031018 |
半導體基本製程 | |
| 六 1031019 1031025 |
晶圓簡介 | |
| 七 1031026 1031101 |
27日期中教學評量開始 | 長晶與晶圓切割 |
| 八 1031102 1031108 |
7日期中教學評量結束 | 加熱製程 |
| 九 1031109 1031115 |
期中考週 | 期中考 |
| 十 1031116 1031122 |
20日 期中教務會議 21日 校慶 |
微影技術 |
| 十一 1031123 1031129 |
薄膜成長 | |
| 十二 1031130 1031206 |
蝕刻製程 | |
| 十三 1031207 1031213 |
化學機械研磨 | |
| 十四 1031214 1031220 |
第二次月考週 | 缺陷檢測 |
| 十五 1031221 1031227 |
整合原理 | |
| 十六 1031228 1040103 |
29日期末教學評量開始 1日 元旦 |
奈米製程 |
| 十七 1040104 1040110 |
9日期末教學評量結束。 | 未來趨勢 |
| 十八 1040111 1040117 |
期末考週 | 期末考 |