教學進度
| 課程名稱 | 半導體基本製程 |
| 部別學制系科 | 進修部，二專，電子工程科 計算機工程組 |
| 學分時數 | 選修，學分 3.0，時數 3.0 |
| 分類 | 分類代號 D，分類名稱：校訂選修 |
| 代號與教師 | 開課代號：NEC2097A421，任課教師：趙希誠 |
| 相關網址 | |
| 評分準則 | 平時成績 40%，期中考評 30%，期末考評 % (僅做參考) |
| 系統備註 | 「授課進度」... 等，教師已確認 |
| 週次 起訖日 |
校務摘要 | 課程進度 |
| 一 990228 990306 |
28日和平紀念日 | 宣導尊重智慧財產權，不使用影印本教科書,課程簡介. |
| 二 990307 990313 |
10日期初教務會議 | IC製造,半導體趨勢, 電子發展的階段. |
| 三 990314 990320 |
半導體材料特性,材料之分類,矽原子特性. | |
| 四 990321 990327 |
第一次月考週 | 元件結構,CMOS元件之閉鎖現象,矽晶體結構,第一次月考. |
| 五 990328 990403 |
教孝月校外學習週31、1、2日(停課、停班) | 晶圓準備,晶質測量,半導體製造之化學特性, 物質狀態 |
| 六 990404 990410 |
5日民族掃墓節放假 | 民族掃墓節放假 |
| 七 990411 990417 |
材料特性,化學製程,污染物的種類,污染物的來源與控制,晶圓的濕式清潔. | |
| 八 990418 990424 |
IC量測,品質檢驗,分析儀器,真空幫浦,製程反應室之氣體控制, 殘留氣體分析. | |
| 九 990425 990501 |
26~30日期中考週 | 期中考 |
| 十 990502 990508 |
5日期中教務會議 | 氧化層薄膜,熱氧化成長,爐管設備,氧化製程, 品質測量. |
| 十一 990509 990515 |
13日校務會議 | 薄膜沈積,CVD沈積系統,金屬的形式,金屬沈積系統,金屬化品質測量,微影製程. |
| 十二 990516 990522 |
氣相塗底, 旋轉塗佈,軟烤,光相品質測量,曝光後烘烤,顯影. | |
| 十三 990523 990529 |
硬烤,顯影檢查,顯影品質之量測,乾蝕刻,濕蝕刻, 離子植入. | |
| 十四 990530 990605 |
31~4日畢業考試 第二次月考週 |
畢業考 |
| 十五 990606 990612 |
12日畢業典禮 | |
| 十六 990613 990619 |
14日畢業典禮補假 16日端午節放假 |
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| 十七 990620 990626 |
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| 十八 990627 990703 |
28~2日期末考週 |