教學進度
| 課程名稱 | 超大型積體電路 |
| 部別學制系科 | 日間部，四技，電子工程系 |
| 學分時數 | 選修，學分 3.0，時數 3.0 |
| 分類 | 分類代號 L，分類名稱：專業選修 |
| 代號與教師 | 開課代號：DEC4098A506，任課教師：高政平 |
| 相關網址 | |
| 評分準則 | 平時成績 30%，期中考評 30%，期末考評 % (僅做參考) |
| 系統備註 | 「授課進度」... 等，教師已確認 |
| 週次 起訖日 |
校務摘要 | 課程進度 |
| 一 1000904 1000910 |
5日開學，上午註冊第三節正式上課 5日開學，進修部註冊第二節正式上課 |
宣導尊重智慧財產權，不使用影印本教科書。 課程簡介 |
| 二 1000911 1000917 |
15日期初教務會議 12日中秋節放假 |
1. 半導體 2. PN材料及電性 |
| 三 1000918 1000924 |
1. Enhanced PMOS NMOS結構與電氣特性 2.Depletion PMOS NMOS結構與電氣特性 | |
| 四 1000925 1001001 |
28日教師節 | 1. 靜態電路結構 ( NOT NAND NOR ) |
| 五 1001002 1001008 |
第一次月考週 | 1. 靜態電路結構 ( AOI AND OR ) |
| 六 1001009 1001015 |
10日國慶日 | 1. MOS特性曲線 2. I/O transfer curve 3. Spice 簡介 4 MOS W/L與電劉關係及調整原則 |
| 七 1001016 1001022 |
1 XOR Gate傳輸閘電路 2 多工器傳輸閘電路 3. Latch傳輸閘電路 4. Flip Flop傳輸閘電路 | |
| 八 1001023 1001029 |
1. CMOS製程 | |
| 九 1001030 1001105 |
期中考週 | 期中考 |
| 十 1001106 1001112 |
10日期中教務會議 11日校慶 |
1. CMOS製程 2. SOI 3. Body effect 4. Hot carrier and LDD製程 |
| 十一 1001113 1001119 |
1. Latch up成因 2. Latch up防治 | |
| 十二 1001120 1001126 |
1.MOS寄生電容 2. MOS寄生電容位置與電容值計算 | |
| 十三 1001127 1001203 |
1.MOS寄生電容位置與電容值計算 2.MOS寄生電容的影響 | |
| 十四 1001204 1001210 |
第二次月考週 | 1.CMOS電路電壓電流規格 2. IiH IiL Ioh IoL參數意義 |
| 十五 1001211 1001217 |
1. ViH ViL VoH VoL參數意義 2.串級使用時電壓電流規格注意事項 | |
| 十六 1001218 1001224 |
1.電流測試方法 2.電壓測試方法 3.Voltage Source Current Meter 4 Current Source Voltage Meter | |
| 十七 1001225 1001231 |
1. 現代VLSI階層式設計流程介紹 | |
| 十八 1010101 1010107 |
期末考週 | 期末考 |