教學進度
| 課程名稱 | 半導體製程 |
| 部別學制系科 | 日間部，四技，電機與電子工程系用電設備檢驗維護技優學分學程 |
| 學分時數 | 選修，學分 2.0，時數 2.0 |
| 分類 | 分類代號 L，分類名稱：專業選修 |
| 代號與教師 | 開課代號：DE54104B705，任課教師：鄭時龍 |
| 相關網址 | |
| 評分準則 | 平時成績 30%，期中考評 30%，期末考評 % (僅做參考) |
| 系統備註 | 「授課進度」... 等，教師已確認 |
| 週次 起訖日 |
校務摘要 | 課程進度 |
| 一 1070909 1070915 |
10日 開學，上午註冊第三節正式上課 | 宣導尊重智慧財產權，不使用影印本教科書，自編教材應引用合法授權來源。 課程內容介紹 |
| 二 1070916 1070922 |
導論 | |
| 三 1070923 1070929 |
27日 期初教務會議 | 積體電路發展回顧 |
| 四 1070930 1071006 |
積體電路製程簡介 | |
| 五 1071007 1071013 |
第一次月考週 10日國慶日 |
無塵室技術 |
| 六 1071014 1071020 |
積體電路測試與封裝 | |
| 七 1071021 1071027 |
22日期中教學評量開始 | 半導體基本概念 |
| 八 1071028 1071103 |
2日期中教學評量結束 | 互補式金屬氧化物電晶體 |
| 九 1071104 1071110 |
期中考週 | 期中考 |
| 十 1071111 1071117 |
15日 期中教務會議 16日 校慶 |
晶圓製造 |
| 十一 1071118 1071124 |
磊晶矽生長技術 | |
| 十二 1071125 1071201 |
加熱製成硬體設備 | |
| 十三 1071202 1071208 |
氧化製程，擴散製程 | |
| 十四 1071209 1071215 |
第二次月考週 | 退火製程，快速加熱製程 |
| 十五 1071216 1071222 |
加熱製程近年發展 | |
| 十六 1071223 1071229 |
24日期末教學評量開始 | 微影製程 |
| 十七 1071230 1080105 |
4日期末教學評量結束 1日 元旦 |
微影製程發展趨勢 |
| 十八 1080106 1080112 |
期末考週 | 期末考 |