教學進度 |
課程名稱 | 半導體概論 |
部別學制系科 | 在職專班,二專,電機與電子工程科 |
學分時數 | 選修,學分 3.0,時數 3.0 |
分類 | 分類代號 D,分類名稱:校訂選修 |
代號與教師 | 開課代號:SED2104D304,任課教師:趙中興 |
相關網址 | |
評分準則 | 平時成績 30%,期中考評 30%,期末考評 % (僅做參考) |
系統備註 | 「授課進度」... 等,教師已確認 |
週次 起訖日 |
校務摘要 | 課程進度 |
一 1040913 1040919 |
14日 開學,上午註冊第三節正式上課 | 宣導尊重智慧財產權,不使用影印本教科書,自編教材應引用合法授權來源。 課程介紹 |
二 1040920 1040926 |
24日 期初教務會議 | 半導體材料 |
三 1040927 1041003 |
28日 教師節 | 元 件 |
四 1041004 1041010 |
10日國慶日 | 應用元件 |
五 1041011 1041017 |
第一次月考週 | 薄膜沉積 I ── 物理氣相沉積 |
六 1041018 1041024 |
薄膜沉積 II ── 化學氣相沉積 | |
七 1041025 1041031 |
26日期中教學評量開始 | 微 影 |
八 1041101 1041107 |
6日期中教學評量結束 | 蝕 刻 |
九 1041108 1041114 |
期中考週 | 期中考 |
十 1041115 1041121 |
摻 雜 | |
十一 1041122 1041128 |
26日 期中教務會議 27日 校慶 |
氧化與熱處理 |
十二 1041129 1041205 |
先進單元製程 ── CMP | |
十三 1041206 1041212 |
MOS 製程 | |
十四 1041213 1041219 |
第二次月考週 | 隔離製程 |
十五 1041220 1041226 |
多重內連線製程 I ── 平坦化 | |
十六 1041227 1050102 |
28日期末教學評量開始 1日 元旦 |
多重內連線製程 II ── 金屬化 |
十七 1050103 1050109 |
8日期末教學評量結束。 | 先進整合技術 I ── 電晶體 |
十八 1050110 1050116 |
期末考週 | 期末考 |