教學進度 |
課程名稱 | 積體電路佈局 |
部別學制系科 | 進修部,二技,電子工程系 |
學分時數 | 選修,學分 3.0,時數 3.0 |
分類 | 分類代號 L,分類名稱:專業選修 |
代號與教師 | 開課代號:NEC3100A206,任課教師:高政平 |
相關網址 | |
評分準則 | 平時成績 30%,期中考評 30%,期末考評 % (僅做參考) |
系統備註 | 「授課進度」... 等,教師已確認 |
週次 起訖日 |
校務摘要 | 課程進度 |
一 1010219 1010225 |
宣導尊重智慧財產權,不使用影印本教科書。 課程介紹 | |
二 1010226 1010303 |
1日 期初教務會議 | 1.半導體材料 2.N型材料及電氣特性 3.P型材料及電氣特性 |
三 1010304 1010310 |
1.PN接面電氣特性 2.MOS結構及電氣特性 | |
四 1010311 1010317 |
1.NMOS製程 2.CMOS製程 VS 光罩 | |
五 1010318 1010324 |
第一次月考週 | 1.Latch up 2.CMOS製程with substrate contact 3.Design Rule 觀念介紹 |
六 1010325 1010331 |
1.Design Rule 講解 | |
七 1010401 1010407 |
2日 3日 6日 服務學習日 |
1.Design Rule 講解 |
八 1010408 1010414 |
9日期中課輔開始,9日期中教學評量開始 | 1.Design Rule 講解 2.Laker 使用介紹 |
九 1010415 1010421 |
期中考週,18日期中課輔結束,20日期中教學評量結束 | 期中考 |
十 1010422 1010428 |
26日 期中教務會議 | 1. Laker操作使用 |
十一 1010429 1010505 |
1.NOT Gate Layout with Laker | |
十二 1010506 1010512 |
1. DRC ERC LVS 2. Calibre 操作使用 | |
十三 1010513 1010519 |
1. Stick Diagram 2. NAND Gate , NOR gate 3.AND Gate , OR Gate , AOI Gate | |
十四 1010520 1010526 |
第二次月考週,畢業考週 | 1.大width及大Length MOS Layout方法 2.Placement Routing 觀念講解 3.Power Plan 觀念講解 |
十五 1010527 1010602 |
1.NAND Gate Layout with Laker | |
十六 1010603 1010609 |
9日 畢業典禮 ,4日期末教學評量開始 | 1.電阻Layout 2.電容Layout |
十七 1010610 1010616 |
11日期末課輔開始,15日期末教學評量結束 | 1.二極體Layout 2.電晶體Layout 3.Shielding技術 |
十八 1010617 1010623 |
期末考週,20日期末課輔結束 | 期末考 |