| 教學進度 |
| 課程名稱 | 超大型積體電路 |
| 部別學制系科 | 進修部,二技,電子工程系 |
| 學分時數 | 必修,學分 3.0,時數 3.0 |
| 分類 | 分類代號 K2,分類名稱:專精 |

| 代號與教師 | 開課代號:NEC3098A104,任課教師:高政平 |
| 相關網址 | |
| 評分準則 | 平時成績 33%,期中考評 33%,期末考評 34% (僅做參考) |
| 系統備註 | 「授課進度」... 等,教師已確認 |
| 週次 起訖日 |
校務摘要 | 課程進度 |
| 一 980913 980919 |
14日上午舊生註冊後第三節正式上課 14日進修部舊生註冊後第二節上課 | 宣導尊重智慧財產權,不使用影印本教科書。課程簡介 |
| 二 980920 980926 |
23日期初教務會議 | 1. 導體 絕緣體 半導體 2. PN材料及電性 |
| 三 980927 981003 |
3日中秋節 28日教師節3日中秋節 | 1. Enhanced PMOS NMOS結構與電氣特性 2. Depletion PMOS NMOS結構與電氣特性 |
| 四 981004 981010 |
10日國慶日 | 1. 靜態CMOS電路(NOT NAND NOR)結構 |
| 五 981011 981017 |
第一次月考週 | 1. 靜態CMOS電路(AOI AND OR)結構 |
| 六 981018 981024 |
1. MOS特性曲線 2. I/O Transfer Curve 3. Spice介紹 4. MOS W/L與電流關係及調整原則 | |
| 七 981025 981031 |
1. XOR Gate傳輸閘電路 2. 多工器傳輸閘電路 3. Latch傳輸閘電路 4. Flip Flop傳輸閘電路 | |
| 八 981101 981107 |
1. N_Well P_Well 及Twin Well CMOS製程 | |
| 九 981108 981114 |
期中考週 | 期中考 |
| 十 981115 981121 |
18日期中教務會議 21日校慶 |
1. SOI 2. Body effect 3. Hot carrier 與LDD製程 |
| 十一 981122 981128 |
23日校慶補假 26日校務會議 |
1. Latch_up成因 2. Latch_up防治 |
| 十二 981129 981205 |
1. MOS寄生電容成因 2. MOS寄生電容位置與電容值計算 | |
| 十三 981206 981212 |
1. MOS寄生電容位置與電容值計算 2. MOS寄生電容的影響 | |
| 十四 981213 981219 |
第二次月考週 | 1. CMOS電路電壓電流規格 2. IiH IiL IoH IoL參數意義 |
| 十五 981220 981226 |
25日行憲紀念日 | 1. ViH ViL VoH Vol參數意義 2. 串級使用時電壓電流規格注意事項 |
| 十六 981227 990102 |
1日開國紀念日放假 | 1. 電流測試方法 2. 電壓測試方法 3. Voltage Source Current Meter 4. Current Source Voltage Meter |
| 十七 990103 990109 |
1. 現代VLSI階層式設計流程介紹 | |
| 十八 990110 990116 |
期末考週 | 期末考 |