教學進度 |
課程名稱 | 超大型積體電路 |
部別學制系科 | 進修部,二技,電子工程系 |
學分時數 | 必修,學分 3.0,時數 3.0 |
分類 | 分類代號 K2,分類名稱:專精 |
代號與教師 | 開課代號:NEC3097B104,任課教師:邱顯皇 |
相關網址 | |
評分準則 | 平時成績 30%,期中考評 30%,期末考評 40% (僅做參考) |
系統備註 | 「授課進度」... 等,教師已確認 |
週次 起訖日 |
校務摘要 | 課程進度 |
一 970907 970913 |
8日上午舊生註冊後第三節正式上課 8日進修部舊生註冊後第二節上課 |
1. 課程目的,進度,評分方式 2. 智慧財產權宣導 3. 導體,絕緣體,半導體,P N 材質與電性介紹 |
二 970914 970920 |
14日中秋節 17日期初教務會議 |
1. Enhanced P , N MOS 結構與電氣特性 2. Depletion P , N MOS 結構與電氣特性 3. Enhanced P , N MOS 傳導電氣特性 |
三 970921 970927 |
1. 靜態CMOS電路( NOT NAND NOR ) 結構 | |
四 970928 971004 |
28日教師節 | 1. 靜態CMOS電路( AOI AND OR ) 結構 |
五 971005 971011 |
第一次月考週 10日國慶日放假 |
1. MOS電壓電流特性曲線 2. I/O Transfer Curve 3. MOS W/L與電流關係及調整原則 |
六 971012 971018 |
1. XOR Gate傳輸閘電路 2. 多工器傳輸閘電路 3. 閂鎖器傳輸閘電路 4. 正反器傳輸閘電路 | |
七 971019 971025 |
1. N_Well CMOS製程 2. P_Well CMOS製程 3. Twin_Well CMOS製程 | |
八 971026 971101 |
1. N_Well CMOS製程 2. P_Well CMOS製程 3. Twin_Well CMOS製程 | |
九 971102 971108 |
3~7日期中考週 8日校慶 |
期中考 |
十 971109 971115 |
10日校慶補假 12日期中教務會議 |
1. SOI 2. Body Effect 3. Hot Carrier & LDD製程 |
十一 971116 971122 |
20日校務會議 | 1. Latch up成因 2. Latch Up 防止方法 |
十二 971123 971129 |
1. MOS寄生電容成因 2. MOS寄生電容位置及電容值計算 | |
十三 971130 971206 |
1. MOS寄生電容位置及電容值計算 2. MOS寄生電容的影響 | |
十四 971207 971213 |
第二次月考週 | 1. CMOS電路電壓電流規格 2. IiH , IiL , IoH , IoL 參數意義 |
十五 971214 971220 |
1. ViH , ViL , VoH , VoL 參數意義 2.串及使用時電壓電流規格注意事項 | |
十六 971221 971227 |
25日行憲紀念日 | 1.電流測試方法 2.電壓測試方法 3. Voltage Source Current Meter 4. Current Source Voltage Meter 5. 測試機台介紹 |
十七 971228 980103 |
1日開國紀念日放假 | 1. 現代VLSI階層式設計流程介紹 |
十八 980104 980110 |
5~9日期末考週 | 期末考 |