96/1 學期，於「夜子三乙」教學之基本資訊
| 代號與教師 | 開課代號：NEC3096B104，任課教師：高政平 |
| 相關網址 | |
| 評分準則 | 平時成績 30%，期中考評 30%，期末考評 40% (僅做參考) |
| 系統備註 | 「授課進度」... 等，教師已確認 |
| 教學進度 |
| 課程名稱 | 超大型積體電路 |
| 部別學制系科 | 進修部，二技，電子工程系 |
| 學分時數 | 必修，學分 3.0，時數 3.0 |
| 分類 | 分類代號 K2，分類名稱：專精 |
| 代號與教師 | 開課代號：NEC3096B104，任課教師：高政平 |
| 相關網址 | |
| 評分準則 | 平時成績 30%，期中考評 30%，期末考評 40% (僅做參考) |
| 系統備註 | 「授課進度」... 等，教師已確認 |
| 週次 起訖日 |
校務摘要 | 課程進度 |
| 一 960909 960915 |
10日上午舊生註冊後第三節正式上課 10日進修部舊生註冊後第二節上課 |
1.課程目的、進度、評分方式 2.宣導智慧財產權 |
| 二 960916 960922 |
1.導體、絕緣體、半導體 2.P、N材質及電性 | |
| 三 960923 960929 |
25日中秋節放假 28日教師節 |
1.Enhanced P ,N MOS 結構及電氣特性 2.Depletion N MOS 結構及電氣特性 3.Enhanced P ,N MOS 傳導電氣特性 |
| 四 960930 961006 |
CMOS NOT、NAND、NOR靜態電路 | |
| 五 961007 961013 |
第一次月考週 10日國慶日放假 |
AOI、AND、OR靜態電路 |
| 六 961014 961020 |
1.MOS W/L 與電流關係 2.MOS W/L 調整原則 | |
| 七 961021 961027 |
1.XOR Gate傳輸閘電路 2.多工器傳輸閘電路 3.閂鎖器傳輸閘電路 4.正反器傳輸閘電路 | |
| 八 961028 961103 |
1.N-Well製程 2.P-Well製程 3.Twin-Well製程 | |
| 九 961104 961110 |
5~9日期中考週 10日校慶 |
期中考 |
| 十 961111 961117 |
12日校慶補假 | 1. SOI 2. Body effect 3. Hot Carrier & LDD 製程 |
| 十一 961118 961124 |
22日校務會議 | 1. Latch-up成因 2. Latch-up防止方法 |
| 十二 961125 961201 |
1.MOS寄生電容成因 2.MOS寄生電容位置及電容值之計算 | |
| 十三 961202 961208 |
1. MOS寄生電容位置及電容值之計算 2. MOS寄生電容的影響 | |
| 十四 961209 961215 |
第二次月考週 | 1. CMOS電路電壓電流規格 2. IiH、IiL、IoH、IoL參數意義 |
| 十五 961216 961222 |
1..ViH、ViL、VoH、Vol參數意義 2.串級使用時電壓電流規格注意事項 | |
| 十六 961223 961229 |
25日行憲紀念日 | 1.電流測試方法 2.電壓測試方法 3.Voltage Source Current Meter 4.Current Source Voltage Meter 5.測試機台介紹 |
| 十七 961230 970105 |
1日開國紀念日放假 | 現代VLSI 階層式設計流程介紹 |
| 十八 970106 970112 |
7~11日期末考週 | 期末考 |