教學進度 |
課程名稱 | 光電及半導體製程 |
部別學制系科 | 進修部,四技,化工與材料工程系 |
學分時數 | 選修,學分 3.0,時數 3.0 |
分類 | 分類代號 L,分類名稱:專業選修 |
代號與教師 | 開課代號:NCC4095A707,任課教師:游建文 |
相關網址 | |
評分準則 | 平時成績 30%,期中考評 30%,期末考評 40% (僅做參考) |
系統備註 | 「授課進度」... 等,教師已確認 |
週次 起訖日 |
校務摘要 | 課程進度 |
一 980913 980919 |
14日上午舊生註冊後第三節正式上課 14日進修部舊生註冊後第二節上課 | 1.宣導尊重智慧財產權,不使用影印本教科書。2.課程介紹。 |
二 980920 980926 |
23日期初教務會議 | 光電與半導體製程導論。 |
三 980927 981003 |
3日中秋節 28日教師節3日中秋節 | 積體電路簡介。 |
四 981004 981010 |
10日國慶日 | 半導體基礎元件原理。 |
五 981011 981017 |
第一次月考週 | 半導體基礎元件原理與製程。 |
六 981018 981024 |
晶圓製造和磊晶成長。 | |
七 981025 981031 |
晶圓製造和磊晶成長。 | |
八 981101 981107 |
加熱製程。 | |
九 981108 981114 |
期中考週 | 期中考 |
十 981115 981121 |
18日期中教務會議 21日校慶 |
微影技術。 |
十一 981122 981128 |
23日校慶補假 26日校務會議 |
蝕刻-濕式蝕刻、乾式蝕刻。 |
十二 981129 981205 |
離子植入法 | |
十三 981206 981212 |
薄膜沉積-CVD | |
十四 981213 981219 |
第二次月考週 | 薄膜沉積-PVD |
十五 981220 981226 |
25日行憲紀念日 | 電漿原理&應用 |
十六 981227 990102 |
1日開國紀念日放假 | 整合製程-MOS製程 |
十七 990103 990109 |
整合製程-太陽能板製程 | |
十八 990110 990116 |
期末考週 | 期末考 |