| 教學進度 |
| 課程名稱 | 半導體製程規劃 |
| 部別學制系科 | 日間部,四技,工業工程與管理系 |
| 學分時數 | 選修,學分 2.0,時數 2.0 |
| 分類 | 分類代號 L,分類名稱:專業選修 |

| 代號與教師 | 開課代號:DIE4096A411,任課教師:陳烈 |
| 相關網址 | |
| 評分準則 | 平時成績 30%,期中考評 30%,期末考評 % (僅做參考) |
| 系統備註 | 「授課進度」... 等,教師已確認 |
| 週次 起訖日 |
校務摘要 | 課程進度 |
| 一 980222 980228 |
28日和平紀念日 | 宣導尊重智慧財產權 課程簡介c |
| 二 980301 980307 |
4日期初教務會議 | 第一章 積體電路生產的簡介 |
| 三 980308 980314 |
第二章 半導體的基礎 | |
| 四 980315 980321 |
第三章 晶圓製造 | |
| 五 980322 980328 |
第一次月考週 | 第四章 加熱製程 |
| 六 980329 980404 |
教孝月校外學習週1、2、3日(停課、停班) 4日民族掃墓節 |
第五章 微影技術 |
| 七 980405 980411 |
第六章 電漿的基礎原理 | |
| 八 980412 980418 |
第七章 離子佈植 | |
| 九 980419 980425 |
20~24日期中考週 | 期中考 |
| 十 980426 980502 |
29日期中教務會議 | 第八章 蝕刻 |
| 十一 980503 980509 |
7日校務會議 | 第九章 化學氣相沉積與介電薄膜 |
| 十二 980510 980516 |
第十章 介電薄膜的應用 | |
| 十三 980517 980523 |
第十一章 介電薄膜的特性 | |
| 十四 980524 980530 |
25~29日畢業考試 第二次月考週 28日端午節放假 |
第十二章 高密度電漿CVD |
| 十五 980531 980606 |
第十三章 製程趨勢 | |
| 十六 980607 980613 |
13日畢業典禮 | 第十四章 半導體未來 |
| 十七 980614 980620 |
15日畢業典禮補假 | 第十五章 總論 |
| 十八 980621 980627 |
22~26日期末考週 | 期末考 |