教學進度 |
課程名稱 | 半導體元件 |
部別學制系科 | 日間部,四技,電機工程系 |
學分時數 | 選修,學分 3.0,時數 3.0 |
分類 | 分類代號 L,分類名稱:專業選修 |
代號與教師 | 開課代號:DEE4094A511,任課教師:劉志生 |
相關網址 | |
評分準則 | 平時成績 30%,期中考評 30%,期末考評 40% (僅做參考) |
系統備註 | 「授課進度」... 等,教師已確認 |
週次 起訖日 |
校務摘要 | 課程進度 |
一 960909 960915 |
10日上午舊生註冊後第三節正式上課 10日進修部舊生註冊後第二節上課 |
導論:半導體與積體電路歷史,積體電路製造簡述,晶體結構,半導體材料,空間晶格。原子鍵結,固體中的缺陷與雜質,半導體材料的成長。,智慧財產權宣導。 |
二 960916 960922 |
量子力學導論上:量子力學來由,薛丁格波動方程式。 | |
三 960923 960929 |
25日中秋節放假 28日教師節 |
量子力學導論中:薛丁格波動方程式的應甪。 |
四 960930 961006 |
量子力學導論下:波動力學與原子。 | |
五 961007 961013 |
第一次月考週 10日國慶日放假 |
固態量子理論導論上:晶格中的波函數,金屬-半導體-絕緣體,能帶。 |
六 961014 961020 |
固態量子理論導論下:固體的導電能力,E-K圖,統計力學。 | |
七 961021 961027 |
平衡態的半導體:半導體中的電荷及載子,摻雜原子和能階,外質半導體,施體與受體的統計力學,電中性,費米能階的位置。 | |
八 961028 961103 |
載子的傳輸現象:載子的漂移,載子擴散,漸變的雜質分佈,霍爾效應, | |
九 961104 961110 |
5~9日期中考週 10日校慶 |
非平衡態的半導體的過量載子:載子的產生與復合,過量載子的特性,雙極性傳輸,準費米能階,過量載子的生命期,表面效應。 |
十 961111 961117 |
12日校慶補假 | PN接面:PN接面的結構,零外加偏壓,逆向偏壓,非圴勻摻雜接面。 |
十一 961118 961124 |
22日校務會議 | PN接面二極體:PN接面的電流,PN接面的小訊號模型,產生復合電流,接面崩潰,電荷儲存及二極體暫態,穿隧二極體,整流應用。 |
十二 961125 961201 |
金屬-半導體接面與半導體異質接面:蕭特基位障二極體,金屬-半導體歐姆接觸,異質接面。 | |
十三 961202 961208 |
雙極性電晶體:雙極性電晶體的作用,少數載子的分佈,低頻共基電流增益,非理想的效應,等效電路模型,頻率限制,大信號切換,其他雙極性電晶體結構。 | |
十四 961209 961215 |
第二次月考週 | 雙極性電晶體:雙極性電晶體的作用,少數載子的分佈,低頻共基電流增益,非理想的效應,等效電路模型,頻率限制,大信號切換,其他雙極性電晶體結構。 |
十五 961216 961222 |
金屬氧化半導體場效電晶體上:兩端點MOS結構,電容-電壓特性,基本的MOSFET操作,CMOS。 | |
十六 961223 961229 |
25日行憲紀念日 | 金屬氧化半導體場效電晶體下:非理想的效應,MOSFET的尺寸改變,底限電壓的修正,其他的電氣特性,輻射和熱電子效應。 |
十七 961230 970105 |
1日開國紀念日放假 | 接面場效電晶體:JFET的觀念,元件特性,非理想效應,等效電路和頻率極限,高電子遷移率電晶體。 |
十八 970106 970112 |
7~11日期末考週 |