教學進度 |
課程名稱 | 超大型積體電路 |
部別學制系科 | 日間部,四技,電子工程系 |
學分時數 | 選修,學分 3.0,時數 3.0 |
分類 | 分類代號 L,分類名稱:專業選修 |
代號與教師 | 開課代號:DEC4099A506,任課教師:高政平 |
相關網址 | |
評分準則 | 平時成績 33%,期中考評 33%,期末考評 % (僅做參考) |
系統備註 | 「授課進度」... 等,教師已確認 |
週次 起訖日 |
校務摘要 | 課程進度 |
一 1010902 1010908 |
3日開學,上午註冊第三節正式上課 進修部註冊第二節正式上課 |
宣導尊重智慧財產權,不使用影印本教科書。 課程簡介 |
二 1010909 1010915 |
13日期初教務會議 | 1. 半導體 2. PN材料及電性 |
三 1010916 1010922 |
1. Enhanced PMOS NMOS結構與電氣特性 2.Depletion PMOS NMOS結構與電氣特性 | |
四 1010923 1010929 |
28日教師節 | 1. 靜態電路結構 ( NOT NAND NOR ) |
五 1010930 1011006 |
30日 中秋節 | 1. 靜態電路結構 ( AOI AND OR ) |
六 1011007 1011013 |
第一次月考週 10日國慶日 |
1. MOS特性曲線 2. I/O transfer curve 3. Spice 簡介 4 MOS W/L與電流關係及調整原則 |
七 1011014 1011020 |
1 XOR Gate傳輸閘電路 2 多工器傳輸閘電路 3. Latch傳輸閘電路 4. Flip Flop傳輸閘電路 | |
八 1011021 1011027 |
22日期中課輔開始 22日期中教學評量開始 |
1. CMOS製程 |
九 1011028 1011103 |
期中考週 31日期中課輔結束 2日期中教學評量結束 |
期中考 |
十 1011104 1011110 |
8日期中教務會議 9日校慶 |
1. CMOS製程 2. SOI 3. Body effect 4. Hot carrier and LDD製程 |
十一 1011111 1011117 |
1. Latch up成因 2. Latch up防治 | |
十二 1011118 1011124 |
1.MOS寄生電容 2. MOS寄生電容位置與電容值計算 | |
十三 1011125 1011201 |
1.MOS寄生電容位置與電容值計算 2.MOS寄生電容的影響 | |
十四 1011202 1011208 |
第二次月考週 | 1.CMOS電路電壓電流規格 2. IiH IiL Ioh IoL參數意義 |
十五 1011209 1011215 |
1. ViH ViL VoH VoL參數意義 2.串級使用時電壓電流規格注意事項 | |
十六 1011216 1011222 |
17日期末教學評量開始 | 1.電流測試方法 2.電壓測試方法 3.Voltage Source Current Meter 4 Current Source Voltage Meter |
十七 1011223 1011229 |
24日期末課輔開始 28日期末教學評量結束 |
1. 現代VLSI階層式設計流程介紹 |
十八 1011230 1020105 |
期末考週 4日期末課輔結束 |
期末考 |