教學進度 |
課程名稱 | 半導體製程 |
部別學制系科 | 日間部,四技,電子工程系 |
學分時數 | 選修,學分 3.0,時數 3.0 |
分類 | 分類代號 L,分類名稱:專業選修 |
代號與教師 | 開課代號:DEC4092A808,任課教師:趙希誠 |
相關網址 | |
評分準則 | 平時成績 30%,期中考評 30%,期末考評 40% (僅做參考) |
系統備註 | 「授課進度」... 等,教師已確認 |
週次 起訖日 |
校務摘要 | 課程進度 |
一 960225 960303 |
26日上午註冊,下午正式上課。 26日進修部註冊第二節上課 28日和平紀念日放假。 |
課程介紹,半導體產業的歷史與未來展望 |
二 960304 960310 |
矽元素的原子結構,本徵半導體,摻雜半導體 | |
三 960311 960317 |
化合物半導體,半導體級之矽的備製,結晶成長法,製造晶圓片 | |
四 960318 960324 |
基本的晶圓製造技術,製程範例,晶圓揀選 | |
五 960325 960331 |
第一次月考週。 | 無塵室的建造,污染控制,晶圓表面清潔 |
六 960401 960407 |
5日民族掃墓節放假。 | 製程良率計算,晶圓製造良率的限製因素,整體的製程良率 |
七 960408 960414 |
二氧化矽層的成長法,氧化層的分析,陽極氧化 | |
八 960415 960421 |
微影程序,光阻的基本化學性質,由表面準備至曝光 | |
九 960422 960428 |
23~27日期中考週。 | 期中考 |
十 960429 960505 |
顯影,硬烤,濕式與乾式蝕刻,最終檢查,製造光罩 | |
十一 960506 960512 |
先進的微影製程,光學解析度的控制,光阻製程的進展 | |
十二 960513 960519 |
擴散製程的步驟,離子植入法,摻雜技術的未來 | |
十三 960520 960526 |
24日校務會議 | 化學氣相沈積法,沈積多晶矽和非晶矽,金屬化 |
十四 960527 960602 |
28~1日畢業考試。 第二次月考週。 |
畢業考 |
十五 960603 960609 |
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十六 960610 960616 |
16日畢業典禮。 | |
十七 960617 960623 |
19日端午節放假 | |
十八 960624 960630 |
25~29日期末考週。 |